삼성전자가 올해 비트(bit) 기준 고대역폭메모리(HBM) 공급량이 2배 늘어날 것이라는 전망을 내놨다.

삼성전자는 31일 지난해 4분기 실적 발표회를 통해 “올해 2분기 이후 고객 수요는 기존 8단에서 12단으로 예상 대비 빠르게 전환될 것”이라며 “2025년 전체 HBM 비트 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 전망”이라고 밝혔다.

또 “HBM3E 개선 제품은 1분기 말부터 공급할 예정으로, 가시적인 공급 증가는 2분기 본격화될 것”이라며 “6세대(1c) D램 기반 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 개발하고 있다”고 소개했다.

삼성전자는 지난해 3분기부터 HBM3E 8단, 12단 제품을 양산 판매 중이다. HBM3E 개선 제품은 시장 핵심 고객사인 엔비디아가 발열, 전력효율 등의 개선을 요구하면서 개발에 착수한 것으로 알려졌다. 엔비디아와의 진행 중인 품질 평가를 최종 통과하면 큰 폭의 실적 개선을 기대할 수 있다.

회사는 HBM3E 16단 제품도 기술 검증 차원에서 샘플을 제작해 주요 고객사에 전달했다고 전했다.

메모리 수요는 2분기부터 회복세를 보일 것으로 예상했다. 그래픽처리장치(GPU) 공급 개선으로 지연됐던 데이터센터 프로젝트들이 정상화되고 이에 따라 HBM, 서버용 D램, 기업용 솔리드스테이드드라이브(eSSD) 수요가 늘 것으로 내다봤다.

삼성전자는 D램과 낸드플래시 모두 고부가가치 선단 공정 제품으로 전환을 가속화할 계획이라고 강조했다. 중국 제조사들의 과잉 공급으로 가격이 하락하는 DDR4, LPDDR4의 매출 비중은 지난해 30% 초반에서 올해 한자릿수로 대폭 축소한다고 설명했다.

반도체 위탁생산(파운드리) 사업과 관련해서는 “2나노미터(㎚) 1세대 공정은 2025년, 2세대 공정은 2026년 양산을 목표로 각각 준비하고 있다”며 “현재 주요 고객사는 성능·전력효율·면적(PPA) 평가 및 멀티프로젝트웨이퍼(MPW·샘플 생산)를 진행 중이며 일부 고객사는 제품 설계를 시작했다”고 전했다.